大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国(guó)市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK0082是哪个国家区号呢，0081是哪个国家区号海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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