大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(c伊拉克是不是被灭国了éng)均需要(yào)经过薄膜(mó伊拉克是不是被灭国了)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CM伊拉克是不是被灭国了P）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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