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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律毁掉一个女人最好的办法名声，毁掉一个渣女最好的方法法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期毁掉一个女人最好的办法名声，毁掉一个渣女最好的方法合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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