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粗犷,粗旷和粗犷区别在哪

粗犷,粗旷和粗犷区别在哪 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查

  据(jù)网信(xìn)办消息,日前,网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

  审查发现,美光公司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险,影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ),网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规,我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

  此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审查(chá),目的(de)是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施安(ān)全,是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng),只要遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

粗犷,粗旷和粗犷区别在哪>  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文称(chēng),为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全,防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn),维护国(guó)家安全,依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》,网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》,对美(měi)光公司(sī)(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

  半导体突(tū)发(fā)!中(zhōng)国出手(shǒu):停止采购!

  美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu),也是全球存储芯片巨头(tóu)之一,粗犷,粗旷和粗犷区别在哪2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

  美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降(jiàng),至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē),确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng),巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势(shì),公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

  有券(quàn)商(shāng)此前就分析,如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制,或将导致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

  分析称,长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤,同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo),催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(粗犷,粗旷和粗犷区别在哪xiàn)资本开支合计为75%。自长江存储被加入美国限制名(míng)单,设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù),看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升(shēng),以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗(xǐ))等收入增长(zhǎng)。

 

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