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　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)一立方米等于多少立方毫米怎么算，一立方米等于多少立方毫米分米维存储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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