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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美光公(gōng)陈万年教子文言文翻译注释和启示，文言文《陈万年教子》翻译司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应(y陈万年教子文言文翻译注释和启示，文言文《陈万年教子》翻译īng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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