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平安喜乐后面一句是啥,平安喜乐后面一句是什么 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

  审(shěn)查(chá)发现,美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风险,影响我国国家安(ān)全。为此,网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规,我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

  此次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查,目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán),是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放,只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网发文称,为保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全,防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险,维护国(guó)家(jiā)安全,依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》,网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  美光是美(měi)国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头,也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一,2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降平安喜乐后面一句是啥,平安喜乐后面一句是什么,至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

  公(gōng)告(gào)显示, 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商,采购(gòu)约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约,确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng),巩固公(gō平安喜乐后面一句是啥,平安喜乐后面一句是什么ng)司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势,公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

  有券商此前(qián)就分析,如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制,或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì),国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代,2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu),同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的(de)深孔,未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo),催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露,薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限制名单,设(shè)备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速,看(kàn)好拓荆科(kē)技(薄膜(mó)沉积)等相关公司份额提升,以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等(děng)收入增长。

 

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