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　　美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之岭南大学位置在哪里啊，岭南大学在哪个城市一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠岭南大学位置在哪里啊，岭南大学在哪个城市、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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