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　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关不走心是啥意思，不走心是啥意思网络用语(guān)键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、不走心是啥意思，不走心是啥意思网络用语长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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