大家(jiā)好，来看一(yī)则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)解是多音字吗怎么读，解字是多音字都有什么音 line-height: 24px;'>解是多音字吗怎么读，解字是多音字都有什么音品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信解是多音字吗怎么读，解字是多音字都有什么音息基础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：成都工装公司_工装装修效果图_专注公装设计装修 - 无同之家装饰 解是多音字吗怎么读，解字是多音字都有什么音