大(dà)家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产(chǎn)业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的珂润护肤品属于什么档次，珂润护肤品适合什么年龄结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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