大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市(shì)场。<大清道光元年是哪一年，道光元年是哪一年到哪一年/p>

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共和国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng大清道光元年是哪一年，道光元年是哪一年到哪一年)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积大清道光元年是哪一年，道光元年是哪一年到哪一年工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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