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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀太深是一种什么体验，太深是不是不好和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟太深是一种什么体验，太深是不是不好(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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