大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文(wén)称(chēn知道直径怎么求圆的周长公式，直径乘以3.14是周长吗g)，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，知道直径怎么求圆的周长公式，直径乘以3.14是周长吗对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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