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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的2023年初一什么时候军训，初一什么时候军训2022生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备2023年初一什么时候军训，初一什么时候军训2022及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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