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600毫升等于多少斤水,800ml是多少水 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)

  据网信办消息,日前,网络安全审查办(bàn)公室依法对(d600毫升等于多少斤水,800ml是多少水uì)美光公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

  审(shěn)查(chá)发现,美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患,对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险,影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ),网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规,我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

  此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查,目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)安全,是(shì)维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放,只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求,欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网(wǎng)发文称,为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全,防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国家安全,依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和(hé)国网络(luò)安全法(fǎ)》,网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》,对(duì)美(měi)光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国(guó)出手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头,也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM (内存(cún))市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中(zhōng),江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng),至少已经不是主要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán),占(zhàn)比(bǐ)33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示,江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确(què)保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性(xìng),巩固公司在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优势,公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制,或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分(fēn)析称,长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài),2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大600毫升等于多少斤水,800ml是多少水量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60:1的(de)深孔(kǒng),未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子披露,薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单,设备国产化(huà)进程加速(sù),看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提(tí)升,以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入增(zēng)长(zhǎng)。

 

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