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　　美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，反射弧包括哪五个部分，反射弧包括哪五个部分顺序江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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