大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò特朗普为什么叫懂王吗？ 特朗普为什么称为懂王)施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在(特朗普为什么叫懂王吗？ 特朗普为什么称为懂王zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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