大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进abo文是什么意思 abo文是谁发明的入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券abo文是什么意思 abo文是谁发明的商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长(zhǎngabo文是什么意思 abo文是谁发明的)江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

未经允许不得转载：成都工装公司_工装装修效果图_专注公装设计装修 - 无同之家装饰 abo文是什么意思 abo文是谁发明的