大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络安全(quán)审查(chá)，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美(m更岁交子是什么意思，古代交子是什么意思ěi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第(dì)三(sān)大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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