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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(lu耐克品牌和乔丹品牌是什么关系;'>耐克品牌和乔丹品牌是什么关系ò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商耐克品牌和乔丹品牌是什么关系。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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