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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了(le)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。华大基因有国家背景吗>

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、华大基因有国家背景吗美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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