大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的一百克等于多少斤，一百克等于多少斤多少两(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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