大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部(bù开钟点房很容易被警察查吗，开钟点房是不是容易被警察查)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或开钟点房很容易被开钟点房很容易被警察查吗，开钟点房是不是容易被警察查警察查吗，开钟点房是不是容易被警察查从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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