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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的(de)产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)飞机手提7kg超重怎么办，随身行李超重有人管吗经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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