大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供描写瘦西湖春天的诗句，扬州瘦西湖美景佳句应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中(zhōng)国描写瘦西湖春天的诗句，扬州瘦西湖美景佳句区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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