大家好，来(lái)看(kàn)一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患(hugpa和mpa单位换算和pa，1mpa等于多少paàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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