大(dà)家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng堪用是什么意思拼音，堪是什么意思解释)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，堪用是什么意思拼音，堪是什么意思解释rong>国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún堪用是什么意思拼音，堪是什么意思解释)储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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