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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为0082是哪个国家区号呢，0081是哪个国家区号保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为0082是哪个国家区号呢，0081是哪个国家区号 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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