大(dà)家好(hǎo)，来看一(yī)则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中DHC属于什么档次，dhc属于什么档次的化妆品华人(rén)民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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