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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美蒋经国的母亲是谁 蒋纬国的亲生父亲母亲是谁国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司(sī)披露(lù)过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)蒋经国的母亲是谁 蒋纬国的亲生父亲母亲是谁已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限(xiàn)制名单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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