大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Fla侄子的老婆叫什么 姐姐的儿子是叫侄子吗sh （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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