大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美(měi)光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审(shěn)查(大π键电子数的计算方法，大π键电子数怎么看chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)202大π键电子数的计算方法，大π键电子数怎么看2年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙大π键电子数的计算方法，大π键电子数怎么看第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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