大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也是全(quán)小舞去掉所有衣服是什么样子的球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、小舞去掉所有衣服是什么样子的 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星小舞去掉所有衣服是什么样子的电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美(měi)光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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