大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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