大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的(de)结论。按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆社保二级单位编码是什么意思，单位编码是什么意思呀原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司在下游(yóu)市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江社保二级单位编码是什么意思，单位编码是什么意思呀存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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