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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基关关难过关关过 事事难熬事事熬下一句是什么，关关难过关关过 事事难熬事事熬是什么诗础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电关关难过关关过 事事难熬事事熬下一句是什么，关关难过关关过 事事难熬事事熬是什么诗子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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