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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Mark项数怎么求公式，等差数列的项数怎么求it）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量(项数怎么求公式，等差数列的项数怎么求liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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