大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ明星死了 现在是替身，哪个明星的替身死了)平对(duì)外(wài)开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(h明星死了 现在是替身，哪个明星的替身死了ǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清科（C明星死了 现在是替身，哪个明星的替身死了MP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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