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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安(ān雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语)全(quán)法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络(luò雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语)安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(s雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语hì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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