大(dà)家好(hǎo)，来看(kàn)一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结(jié)论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、S水密码适合什么年龄，水密码适合什么年龄段的女生使用olidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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