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新联会是事业编制吗 加入新联会很厉害吗

新联会是事业编制吗 加入新联会很厉害吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发(fā)消息。

  美(měi)光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查(chá)。

  审查发现(xiàn),美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患,对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险,影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此,网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规,我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

  此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查(chá),目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国(guó)家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全,是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称,为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全(quán),防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险,维护国家安(ān)全,依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》,网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止(zhǐ)采购!

  美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头,也是全球存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约(yuē)11%。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM (内(nèi)存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公(gōng)司披露过美(měi)光等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

  美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已新联会是事业编制吗 加入新联会很厉害吗经显(xiǎn)著下降,至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商,采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性,巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应(yīng)优(yōu)势,公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

  有券商此新联会是事业编制吗 加入新联会很厉害吗前就分析,如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制,或将导致下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析(xī)称,长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉(chén)积新联会是事业编制吗 加入新联会很厉害吗工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深(shēn)孔,未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽(cáo),催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露,薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计(jì)为75%。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单,设备国产化进程加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜(mó)沉积(jī))等相关公司份额(é)提(tí)升,以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清(qīng)洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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