大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危(wēi)害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存(cún)储芯片(p人的正常语速是多少字，正常人的语速一般在每分钟iàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(人的正常语速是多少字，正常人的语速一般在每分钟dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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