大家好(hǎo)，来看(kàn)一则(zé)突发(fā)消息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公(gōng)司(sī)产品存(cún)在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网韩国为何全民疯狂炒股，韩国为什么这么多人炒股络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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