大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的(de)运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(s广州夏天温度一般多少度，广州夏天温度一般多少度正常hì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(广州夏天温度一般多少度，广州夏天温度一般多少度正常lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎ广州夏天温度一般多少度，广州夏天温度一般多少度正常ng)鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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