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不甚是什么意思解释,不甚了然是什么意思

不甚是什么意思解释,不甚了然是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)

  据网信办消(xiāo)息,日前,网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

  审查发(fā)现,美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患,对(duì)我国关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn),影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为(wèi)此(cǐ),网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规,我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

  此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查,目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全,是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放,只要遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

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  3月31日(rì),中国网信网发文称,为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全,防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险,维(wéi)护(hù)国家安全,依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》,网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查。

  半导体突(tū)发!中(zhōng)国出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头,也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一,2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57%降(jiàng)至(zhì)2022年约11%。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份额约(yuē)为 96.76%,三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中(zhōng),江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

  美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下降(jiàng),至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示,江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势,公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析(xī),如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到限(xiàn)制,或(huò)将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士,国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75%。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单,设备国产化进程加速,看好拓(tuò)荆科(kē)技(薄膜沉积(jī))等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额(é)提(tí)升(shēng),以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清(qīng)洗)等收入(rù)增长。

 

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