大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)5嘉祥县属于哪个市 济宁嘉祥是不是很穷7％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存嘉祥县属于哪个市 济宁嘉祥是不是很穷(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长(嘉祥县属于哪个市 济宁嘉祥是不是很穷zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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