大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公站姐主要是做什么的，站姐是什么干什么的(gōng)司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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