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岳飞是哪个朝代的人,岳飞是哪个朝代的皇上

岳飞是哪个朝代的人,岳飞是哪个朝代的皇上 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了(le)网络安全(quán)审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全风险,影(yǐng)响我国国家安(ān)全(quán)。为此,网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规,我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查,目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施安全,是(shì)维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放(fàng),只要遵(zūn)守中国法律法规要求,欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称(chēng),为(wèi)保障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全(quán),防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险,维护国家(jiā)安全,依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》,网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全岳飞是哪个朝代的人,岳飞是哪个朝代的皇上审(shěn)查。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪(shǎn)存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存(cún))市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降,至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài岳飞是哪个朝代的人,岳飞是哪个朝代的皇上)广泛合作。2022年年报(bào)显示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约,确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性,巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供(gōng)应优(yōu)势(shì),公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

  有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析,如果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制,或将(jiāng)导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì),国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分(fēn)析称,长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽(cáo),催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计为75%。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单(dān),设备国产化进程加速,看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(薄(báo)膜沉(chén)积)等相关公司份额(é)提(tí)升,以(yǐ)及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(hǎi)(清洗)等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

 

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