大家(jiā)好(hǎo)，来看一(yī2197的立方根是多少，216的立方根是多少)则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)2197的立方根是多少，216的立方根是多少水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下2197的立方根是多少，216的立方根是多少游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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